7月22日，美国乔治梅森大学（George Mason University）李启亮教授应邀莅临我校，并在大学城校区理5栋606室作了题为《纳米电子学研究——新型闪存器件、二维半导体器件和拓扑绝缘器件》的学术报告。华南先进光电子研究院党总支书记兼副院长贺浪萍，高兴森教授、陆旭兵教授、（化学与环境学院）铁绍龙教授、高进伟副教授、曾敏副教授、王新副教授等有关单位师生参加了报告会。
　　结合从事于纳米电子器件研究的丰富经验，李启亮生动、有趣、形象地介绍了其在相关研究领域的进展和成果。李启亮指出，一维硅纳米线应用于新型闪存，采用氧化铝（Al₂O₃）和氧化钽（Ta₂O₃）交替的多层结构作为氧化物层，大大改善了闪存的可读写次数，并提高到了10⁹的水平，这种器件还大大降低闪存的能耗，提高CMOS的集成度；二维过渡层状金属硫化物二硫化钼（MoS₂）与银的接触比与铝、铜等金属的接触要好很多，这种二维半导体将应用于柔性透明电子器件，发展和应用前景广阔；三维拓扑绝缘体Bi₂Se₃在逻辑器件和传感器件上应用优势明显，将有可能很好地促进有关技术的优化和改进。
　　报告结束后，在场师生就自己的困惑和感兴趣的问题与李启亮进行了交流和探讨，并就相关方面和合作进行了意向沟通。
　　李启亮，毕业于美国北卡州立大学，是美国乔治梅森大学电气与计算机工程的教授和美国国家标准与技术研究院（NIST）的研究员，主要致力于“纳电子学和新颖的CMOS设备”的研究，涉及高性能纳米场效应晶体管、大规模的纳米线SONOS/闪光像非易失性存储器、大面积纳米光电子学、生物传感器等方面。
 
　　拟稿人：周健、庞宏庄                  审核人：贺浪萍