10月29日～31日，应我校先进材料研究所邀请，日本富士通公司通半导体铁电技术与制造部部长齋藤仁先生（Mr. Saito Hitoshi）莅临我校进行学术交流。华南先进光电子研究院党总支书记兼副院长贺浪萍、陆旭兵教授和化学与环境学院朱宏教授等与齋藤仁进行了合作交流。10月30日上午，齋藤仁在第七届“勷勤论坛”之华南先进光电子研究院学院分论坛，为华南先进光电子研究院、化学与环境学院师生作了主题为《铁电存储器的最新进展》（Recent FRAM Progress and Beyond）的学术报告。
　　报告中，齋藤仁介绍了铁电存储器（FRAM）的概念，阐述了其对FRAM各环节的改进原理，并向大家汇报了他在FRAM方面的最新研究进展，并以谦虚、专业的态度与师生们进行了问答。
　　齋藤仁是国际固态材料会议（Int. Conf. Solid State Device Meeting, Area4/SSDM）小组委员会成员之一，曾参与改进DRAM和FLASH从0.6微米到0.13微米的加工技术，发展了FRAM 的0.35微米技术以及0.18微米技术，目前致力于非易失存储器工艺和外部存储器器件的研究。


　　拟稿人：张蔚信、张小梅                    审核人：贺浪萍