近日，意大利米兰比可卡大学Richard N?tzel教授一行莅临我校进行学术交流，并于11月27日上午在我校第八届“勷勤论坛”作了主题为 《InN/InGaN quantum dot electrochemical devices: New solution for energy and health》的学术报告。

        Richard N?tzel结合自己近年来的研究进展，介绍了InN/InGaN半导体材料的多种优良性能，以及其半导体器件在太阳能氢气产生器、超级电容、新型传感器等领域的广泛应用。通过丰富的实验数据，Richard N?tzel说明了InN/InGaN光伏材料所具有的优良特性，包括化学稳定性与良好的生物兼容性等。通过与传统半导体材料的对比，Richard N?tzel展示了其吸收光谱频带宽、转化效率高和反应速度快等优势。他还所展示的发明成果——基于InN/InGaN半导体材料的氢气产生器件，以设计的精巧和创意的独到给大家留下了深刻印象。

        我校广东省领军人才周国富教授，水玲玲教授，广东省新型平板显示技术创新团队项目负责人Rob Hayes教授，我校特聘教授Alex Henzen、Jan Groenewold，金名亮研究员，以及我校大学城校区师生近50人参加了讲座。大家就报告中提到的有关学术问题与Richard N?tzel进行了交流和探讨。周国富对Richard N?tzel作了英文介绍，表达了对其研究成果的肯定及欣赏，以及对此次莅临我校做报告表示热烈欢迎，希望大家加强交流和合作。

        Richard Notzel主要研究领域为基于新的半导体和金属纳米结构的自组织外延生长概念的新型量子功能材料和光电子，光子和电化学设备，曾有4篇突破性研究成果发表于《Nature》期刊，其中2篇是第一作者，共发表500篇科技论文。

    拟稿人：张潇斐、张俊威       摄影：陈棋江    审核人：李文辉