近日，我校华南先进光电子研究院硕士研究生田国同学在磁电多铁性材料研究中取得重要进展，相关成果《Magnetoelectric Coupling in Well-Ordered Epitaxial BiFeO₃/CoFe2O₄/SrRuO₃ Heterostructured Nanodot Array》，于2015年12月9日在《ACS Nano》期刊上在线预发表。《ACS Nano》是由美国化学协会主办的国际顶尖期刊，其2015年的影响因子为12.881。

该成果以我校为第一署名单位，我校“珠江学者”高兴森研究员指导的2013级硕士研究生田国同学为第一作者，高兴森研究员和刘俊明教授为通讯作者。

磁电多铁性材料兼具磁性、铁电性、及新奇磁电耦合特性，有望用于建构新一代磁电信息感知、存储及逻辑器件，是近10年来的研究热点。但如何获得高密度有序多铁单元阵列并可保持有效的磁电耦合特性，则是其在高密度多铁集成器件方面应用所面临的关键性挑战。高兴森研究员带领其研究小组经过长时间的尝试，利用一种精巧的多孔氧化铝模板法与脉冲激光沉积法相结合的方法，制备出高质量的单晶外延纳米点阵列，并采用多功能扫描探针在纳米尺度测量到材料的磁、电性能，最终在铁电-铁磁多铁复合异质结BiFeO₃/CoFe₂O₄/SrRuO₃纳米点阵列上获得了较强的磁控电性，并且可用电场诱导出磁翻转。纳米点阵列保持很好的有序度，可达每平方英寸的100Gb的密度，为制备高密度微电子器件迈出小小一步。

田国同学曾在2015年中国材料研究大会获多铁性分会“优秀墙报奖”，并在欧洲物理快报EPL上发表学术论文1篇。高兴森研究员领导的小组在多铁性纳米阵列和高密度存储材料与器件方面进行了一系列探索。近两年该研究小组的学生已在含ACS Nano.、 Sci. Rep.、Appl. Phys. Lett.、Nanotechnology 等国际著名期刊上发表SCI收录论文10余篇。

（原文网址：http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsnano.5b06339）

 拟稿人：张凤元、田国、董娜      审核人：陈必华