近日，我校引进杰出人才、全职教授Richard N?tzel撰写的最新综述论文《InN/InGaN quantum dot electrochemical devices: new solutions for energy and health》（InN/InGaN量子点电化学器件：解决能源和健康问题的新思路）发表在《National Science Review》。

基于外延生长的InN / InGaN量子点作为电化学器件的电极材料具有卓越的性能，Richard N?tzel教授的工作主要聚焦解决能源和健康问题，为InN / InGaN量子点在内的III族氮化物半导体开辟新的应用领域。文章介绍了InN/InGaN量子点的三个重要应用：利用太阳能光解水产生氢的光电极；用于医学诊断检测葡萄糖和胆固醇的酶生物传感器和阴离子选择性电极，也可作为超级电容器电极，其性能优于其他材料和纳米结构。该文提出了基于表面和量子特性独特相互作用的模型，以此深入了解催化活性和阴离子选择性增强的机理。InN/InGaN外延层可以直接在没有任何缓冲层的廉价Si衬底上直接生长，从而实现新颖的器件设计以及与Si技术的集成。这就为包含InN / InGaN量子点在内的III族氮化物半导体开辟了新的应用领域。文章指出，用与光学和电气设备相同的思路研究电化学装置的外延量子纳米结构，将使InN/InGaN量子点结构在迄今尚未开发的广泛领域大获成功。

该论文是Richard N?tzel教授自加入我校华南先进光电子研究院周国富教授团队以来以华南师范大学作为第一单位、Richard作为第一作者和唯一通讯作者发表的首篇文章。该文章的发表，展示了Richard N?tzel教授在新型纳米材料、半导体材料领域研究的领先水平，夯实了我校国家国际科技合作基地“绿色光电子国际联合研究中心”的建设基础，巩固了我校高水平大学建设高层次人才引进工作及国际化平台建设工作的成果。

National Science Review为我国第一份英文版综述性学术期刊，定位为一份具有战略性、导向性的综述期刊，致力于全面展示中国各科学领域的代表性研究成果，追踪报道重大科技事件，深度解读热点研究和重要科技政策等。于2014年3月正式出版，2016年NSR创刊以来的首个SCI影响因子达到8.0，位于63种多学科综合类期刊的第5名。

 

拟稿人：邓秋霞                   审核人：周国富、陈必华