第十届“勷勤论坛”之勷约名家Richard Nötzel专场学术讲座

2017-12-08 21:04:37   来源:    点击:

InN/InGaN quantum dot electrochemical devices

第十届“勷勤论坛”之勷约名家Richard Nötzel专场学术讲座

(华南先进光电子研究院  供稿)

12月4日下午,由华南师范大学研究生会主办,华南先进光电子研究院承办的华南师范大学第十届“勷勤论坛”之勷约名家Richard Nötzel专场讲座在大学城校区理五栋二楼报告厅顺利举行。

Prof. Richard Nötzel莅临本次勷约名家专场,发表了题为《InN/InGaN quantum dot electrochemical devices: new solutions for energy and health》的学术报告。莅临本次活动的嘉宾有国家“青年千人计划”入选者、华南先进光电子研究院副院长刘柳教授,华南师范大学研究生会副主席王秉晟同学以及各兄弟学院主席。华南师范大学各学院近200人参加了本场活动。在活动开始的前一个多小时,就已经陆续有热情的听众提前到场。主持人宣布开场后,刘柳教授做嘉宾致辞,并隆重地用英语向大家介绍了Prof. Richard Nötzel的光辉历程。

Prof. Richard Nötzel的报告主要以三个主要内容组成:一,一些外延生长的基本理论;二,用于光学设备的自组装量子纳米结构;三,用于电化学设备的量子点材料。首先,他介绍了分子束外延生长装置的一些基本原理,已经早年的一些对于量子材料的研究,之后他介绍了目前世界上对于量子结构材料的一些研究,他指出,对比于量子阱,量子线以及量子点材料,它们的能级逐渐更趋向于分化,而对于量子点材料,其能带完全退化成了分立的能级,而这便是量子点材料具有极大潜能的根源。随后,Prof. Richard Nötzel介绍了自己在日本,意大利,德国以及荷兰的工作,着重介绍了对于自组装量子点材料的成功探索。最后,Prof. Richard Nötzel为我们介绍了其目前正在研究的InN/InGaN量子点材料。他指出,InN/InGaN量子点材料具有化学稳定性,生物相容性,禁带可调,电子迁移率高,可大面积生长在廉价硅基底上,在高效太阳能光解水,高灵敏度生物传感器以及高能量密度超级电容器等领域均具有巨大的应用潜能,这为人类的绿色能源与健康提供了新的解决方案。

讲座最后,各位同学踊跃提问,Prof. Richard Nötzel也认真详细地解答了学生们的问题,同时鼓励大家要相信自己,“just start it”。在热烈的掌声中,本次活动完美落下帷幕。本场活动由殷鸿杰主持。 

(撰稿人:殷鸿杰,董宝琴  拍摄:陈雨轩,许永盛  审稿人:陈必华

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研究院副院长刘柳教授作开场致辞

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主讲嘉宾Richard教授作报告

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 现场观众热烈提问讨论

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现场全景及嘉宾出席