华南先进光电子研究院成功举办第十三届“勷勤论坛”之牛泉专场

（华南先进光电子研究院  供稿）

 

11月10日上午，由华南先进光电子研究院主办的华南师范大学第十三届“勷勤论坛”华电分论坛之牛泉专场在大学城校区理五栋2楼报告厅成功举办。华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室国家特聘研究员牛泉作了题为《高分子发光器件退化物理机制》的学术报告。本次讲座由刘飞龙老师主持。

牛泉围绕高分子发光器件（PLED）在大面积显示与发光照明的物理机制进行了分享。首先，她指出了聚合物LED的本征老化机理是困扰工业界和学术界20多年的难题，同时分别在“老化过程中发生了什么”和“什么导致了老化”方面提出疑问并进行了合理猜想。其次，她针对聚合物LED的本征老化问题给出了解决方案，即发展器件物理，建立器件模型，发明直接检测手段。之后，牛泉进一步指出在课题研究过程中发现，空穴陷阱的形成是PLED老化的关键原因，而这项工作是破解器件老化机理的前提，具有重要的意义。此外，她描述了量化空穴陷阱密度、空穴陷阱的形成机理推导以及长期老化的过程。同时也介绍了有机二极管的负电容现象，由于反常的物理现象而产生的新发现--负电容现象随着老化更加显著。最后，牛泉介绍了自己目前研究论文的发表情况以及实验室当前的研究方向。

在提问环节，在场师生踊跃发问，牛泉一一详细的给出了自己的回答与建议。

本次讲座在热烈的掌声中落下帷幕。

 

拟稿人：张永瑛、陈瑶瑶、盛家强  摄影：陈光深  审核人：陈必华书记

 

刘飞龙老师主持讲座

 

牛泉研究员进行讲解

 

讲座现场

 

 

 

现场师生提问