10月25日上午，华南先进光电子研究院在大学城校区理五栋2楼报告厅举办了“勷勤论坛”分论坛之“铁电晶体管：原理、材料设计与研究进展”讲座。本场讲座由华南先进光电子研究院副院长、华南师范大学校学术委员会委员、广东省珠江学者特聘教授陆旭兵教授主讲。全校各院系两百多名师生现场聆听报告。讲座由研究生杨文昌主持。

讲座伊始，陆旭兵老师以数据存储需求和冯诺依曼架构限制为引，生动形象地阐释了未来对于对高密度和高速工作的新型存储技术的迫切需求。随后，他向大家讲述不同时期的半导体存储器的优缺点，重点介绍了铁电存储器的应用现状和产业挑战。

随后，他向大家详细介绍了铁电晶体管的原理、从钙钛矿材料到铪锆氧基铁电材料的发展历程、氧化铪晶体管的优势、良好的应用前景以及当前存在的问题和挑战。他认为新型氧化铪基铁电材料在纳米尺度上表现出稳定的铁电性能，且与CMOS工艺完全兼容，可实现高密度、小尺寸和3D集成等需求。这种材料在新兴存储器(FeRAM)、通用存储器(NAND flash)和超低功耗逻辑晶体管等领域都展示出卓越的应用前景。同时，近些年来基于新型氧化铪基的FeFET在工艺、容量和速度等性能指标方面取得了显著进步。然而，新型氧化铪基FeFET仍存在疲劳耐久特性和多相共存等不足。针对这些不足，需要进一步深入研究和开发。

报告深入浅出，论坛现场气氛热烈。报告过后，陆旭兵老师邀请同学们尽情提问。结束时，陆旭兵老师对全体师生表示了诚挚的感谢。参会师生均表示此次讲座让大家受益匪浅，感受到了科学与探索之美。

讲座现场照片

同学们积极提问

 

陆老师和大家合影

图文：余周泉、高瑞斯

初审：吴吉洋、岳晓蕊

复审：刘佳鑫

终审：陈必华